CdS由于具有合适的带隙和易于调节的表面结构, 被广泛应用于光催化制氢领域. CdS具有比H2/H2O电位更负的导带(CB), 有利于H2的析出. 此外, CdS量子点(QDs)的量子尺寸效应有助于提高光催化性能, 带隙的可调性使它们能够吸收更宽范围的可见光. 然而, CdS表现出严重的光生载流子复合现象, 并且易发生空穴氧化光腐蚀, 这极大地限制了其在光催化领域的应用. 为了解决这些问题, 已经提出了许多有效的策略, 包括形貌调控、元素掺杂和异质结构建. 在这些策略中, 用另一种合适的半导体构建S型异质结是一种很有前途的方法.S型异质结的构建使氧化和还原反应能够在不同的位置发生, 从而促进光生电荷的空间分离. 因此, 合理构建S型异质结构是提高CdS光催化活性的可行途径.
本文通过静电自组装法成功地构建了CdS QDs和In2O3空心纳米管之间的S型异质结, 并探究了其在光催化产氢中的应用. 在该体系中, 独特的空心纳米管结构赋予了复合光催化剂更大的比表面积和丰富的H2析出位点, 而S型异质结的形成有效地促进了CdS-In2O3复合材料内光生载流子的分离和转移. Zeta电位测试结果表明, CdS QDs带负电, 而3-氨丙基三乙氧基硅烷修饰的In2O3带正电, 这为CdS-In2O3复合材料的静电自组装提供依据. 此外, 通过紫外-可见漫反射光谱、Tauc曲线和莫特-肖特基图谱等研究了CdS和In2O3的能级结构, 发现两种材料的能级位置交错排列, 有利于形成S型异质结. 通过原位光照X射线光电子能谱(XPS)和密度泛函理论计算研究了载流子的转移机制, 验证了CdS-In2O3复合材料的S型异质结机制. 功函数计算结果表明, In2O3具有比CdS更高的费米能级(Ef), 有利于电子从In2O3转移到CdS, 这与原位XPS分析结果一致. 因此, 与纯CdS相比, CdS-In2O3复合材料的光催化产氢性能显著提升. 值得注意的是, CdS-7%In2O3复合材料的光催化H2生产速率达到2258.59 μmol g−1 h−1, 约为纯CdS的12.3倍. 此外, 循环测试结果表明, 纯CdS的光催化活性在循环实验中迅速下降, 表明存在严重的光腐蚀现象. 然而, CdS-In2O3复合材料即使在5次循环后仍保持相对较高的活性, 表明S型异质结的构建有效地减缓了催化剂的光腐蚀程度. 系列表征结果表明, In2O3空心纳米管与CdS量子点之间形成S型异质结可以有效地促进光生载流子的分离和迁移, 从而提高了复合材料的光催化性能.
综上所述, 合理构建S型异质结是提高材料光催化性能的有效策略. 本文构建了S型CdS QDs/In2O3空心纳米管异质结, 并探究了该量子点基S型异质结在光催化析氢中的应用, 阐明了S型异质结构建在光催化产氢领域的关键作用, 为合理构建有效的复合光催化剂提供了新的见解.