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催化学报

催化学报 ›› 2003, Vol. 24 ›› Issue (9): 669-673.

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氧在银／二氧化硅催化剂上的超高真空程序升温脱附

任丽萍1，戴维林1，董义1，乔明华1，曹勇1，李和兴2，范康年1   

  1. 1复旦大学化学系上海市分子催化与创新材料重点实验室，上海200433；2上海师范大学化学系，上海200234
  • 收稿日期:2003-09-25 出版日期:2003-09-25 发布日期:1989-11-30

  • Received:2003-09-25 Online:2003-09-25 Published:1989-11-30

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摘要： 研究了氧在Ag／SiO2催化剂上的超高真空程序升温脱附．结果表明，脱附谱中出现了对应于表面分子氧（Tp＝340K）、体相氧（Tp＝570K）和次表层氧（Tp＝700～800K）的脱附峰．由于催化剂在制备过程中经过高温焙烧，因而其表面原子氧浓度低，脱附谱中未出现原子氧的脱附峰．高温焙烧还可使表面缺陷浓度增大，有利于原子氧向体相扩散，形成体相溶解氧，也有利于体相氧向表面扩散，所以对应于体相氧的570K脱附峰较强．体相氧和次表层氧向表面的扩散遵循不同的扩散机理．

关键词: 银, 二氧化硅, 超高真空程序升温脱附, 扩散机理